发明名称 |
电路基板、显示装置和电路基板的制造方法 |
摘要 |
本发明的电路基板(1)包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板(2)上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层(11)的氧化物TFT(10),至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层(21)的a-SiTFT(20)。氧化物TFT(10)和a-SiTFT(20)均是底部栅极型的晶体管。 |
申请公布号 |
CN102822981A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201180017085.9 |
申请日期 |
2011.01.17 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
村井淳人;田中信也;北川英树;今井元;今出光则;菊池哲郎;森本一典;嶋田纯也;西村淳 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种电路基板,其特征在于:所述电路基板包括多个晶体管元件,所述多个晶体管元件以与配置为矩阵状的像素对应或者与所述像素的规定数量的一组对应的方式设置于同一绝缘性基板上,所述多个晶体管元件中的至少一个为第一薄膜晶体管元件,所述第一薄膜晶体管元件包括氧化物半导体作为沟道层,所述多个晶体管元件的至少另一个为第二薄膜晶体管元件,所述第二薄膜晶体管元件包括(a)非晶硅半导体、(b)微晶硅半导体、或将这些(a)(b)的半导体叠层而得的半导体作为沟道层,所述第一薄膜晶体管元件和所述第二薄膜晶体管元件均为底部栅极型的晶体管。 |
地址 |
日本大阪府 |