| 摘要 |
<p>본 발명은 수직자기이방성을 가지는 CoFeB/Pd 다층박막 및 이를 이용하여 제조한 자기 랜덤 액세스 메모리에 관한 것으로, 기판 상부에 형성되는 Pd층 및 상기 Pd층 상부에 형성되는 [CoFeB/Pd]N(N은 3이상의 자연수)를 포함하는 다층박막을 제공하되, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 사파이어 기판 및 산화마그네슘 기판 중 어느 하나를 사용 하고, 상기 기판 및 Pd층 사이에 형성되는 Al 또는 Ta 시드층을 더 포함시킴으로써, 40 ~ 600 Oe의 높은 보자력(Hc)을 가지는 우수한 수직자기이방성을 나타내도록 하는 발명에 관한 것이다.</p> |
