| 发明名称 | 用于测量MOS器件HCI可靠性的测试结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于测量MOS器件HCI可靠性的测试结构，包括：n型MOS器件和p型MOS器件，所述n型MOS器件的源极、衬底和p型MOS器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的源极；且所述p型MOS器件的源极、衬底和n型器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的漏极；所述n型MOS器件和p型MOS器件的栅极分别构成所述结构的n型栅极和p型栅极。本发明提供了一种可同时测量n型和p型MOS器件HCI可靠性的测试结构及方法，使得n型和p型MOSFET器件HCI可靠性测试可以在同一测试结构上完成。 | ||
| 申请公布号 | CN102176442B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201110043372.9 | 申请日期 | 2011.02.22 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种用于测量MOS器件HCI可靠性的测试结构，其特征在于，包括：n型MOS器件和p型MOS器件，所述n型MOS器件的源极、衬底和p型MOS器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的源极；且所述p型MOS器件的源极、衬底和n型器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的漏极；所述n型MOS器件和p型MOS器件的栅极分别构成所述结构的n型栅极和p型栅极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||