发明名称 一种原位生成硫化铋/蒙脱石插层复合材料的制备方法
摘要 本发明提供了一种原位生成硫化铋/蒙脱石插层复合材料的制备方法,以无水硝酸铋和硫脲为原料,将其溶解后,向其中加入钠基蒙脱石,搅拌均匀,然后确保溶液中无铋离子后,离心出沉淀物,将沉淀物微波处理,最后离心、洗涤、烘干即可。本发明利用铋的阳离子行络合物作为硫化铋的前驱体,能使铋最大限度的进入到蒙脱石层间;本发明利用蒙脱石的特性,可以化学吸附阳离子,从而使阳离子能规则的排列,所以微波辐射加热后,硫化铋也会规则的排列在蒙脱石层间。本发明方法可以使得纳米硫化铋均匀的分散。由于蒙脱石(001)晶面起到了,限制硫化铋生长的作用,所以生成的纳米硫化铋有特定的形状。
申请公布号 CN102807227A 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201210296524.0 申请日期 2012.08.20
申请人 陕西科技大学 发明人 赵彦钊;高乐文;王兰;王伟超;郭文姬;古先文;张亚莉
分类号 C01B33/38(2006.01)I;C01G29/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01B33/38(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 徐文权
主权项 一种原位生成硫化铋/蒙脱石插层复合材料的制备方法,其特征在于:以无水硝酸铋和硫脲为原料,将其溶解后,向其中加入钠基蒙脱石,搅拌均匀,然后确保溶液中无铋离子后,离心出沉淀物,将沉淀物微波处理,最后离心、洗涤、烘干即可。
地址 710021 陕西省西安市未央区大学园1号
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