发明名称 散射场显微量测方法及装置
摘要 本发明系一种散射场显微量测方法及装置。该量测方法为将散射仪技术整合到亮场光学显微镜中,使显微镜可以量测的尺寸精度小于光学绕射极限。本发明使一经过适当扩束之均匀光场经一矽基液晶(LCOS)或数位微型反射镜元件(DMD)调变装置产生一检测光束,再使该检测光束成像于物镜之后焦平面然后投射至待测物表面所产生之散射光聚焦于一平面以形成一光讯号,以及以一阵列式侦测装置撷取该光讯号。经调变装置控制检测光束,可对待测物进行不同角度之照射,取得其表面不同位置之零阶或高阶绕射光强度值。
申请公布号 TWI378221 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW096135264 申请日期 2007.09.21
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 周森益;董书屏;许维德;徐得铭;伍家麟;顾逸霞;宋昌海
分类号 G01B9/02 主分类号 G01B9/02
代理机构 代理人 刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 一种散射场显微量测方法,其系包含下列步骤:使一均匀光场经一阵列开关产生一检测光束;使该检测光束通过一分光单元,再依序进入一物镜组的Relay透镜、分光镜及显微物镜,并成像于该显微物镜的后焦平面再投射至待测物表面所产生之零阶或高阶绕射光聚焦于一平面以形成一光讯号;以及以一阵列式侦测装置撷取该光讯号。如申请专利范围第1项所述之散射场显微量测方法,其中,该阵列开关经讯号控制使该均匀光场产生反射以形成该检测光束成像于显微物镜的后焦平面再投射至待测物表面。如申请专利范围第1项所述之散射场显微量测方法,其中,该阵列开关经讯号控制,使该均匀光场穿透以形成该检测光束成像于显微物镜的后焦平面再投射至待测物表面。一种散射场显微量测装置,其包含有:一光源模组,其系可提供一均匀光场;一光开关阵列装置,其系可改变光点亮暗以将该均匀光场调制成一检测光束;一分光单元,其系设置于该光源模组与该光开关阵列装置之间以导引该均匀光场至该光开关阵列装置以及提供该检测光束通过;一物镜组,其系具有一Relay透镜、一分光镜及一显微物镜,该显微物镜具有一后焦平面,其可将由该分光单元通过之该检测光束投射至一待测物上以形成一散射光,并将该散射光聚焦于该后焦平面上以形成一光讯号;以及一阵列侦测装置,其系可撷取该光讯号。如申请专利范围第4项所述之散射场显微量测装置,其中,该光开关阵列装置可为LCOS或DMD装置。如申请专利范围第4项所述之散射场显微量测装置,其中,该阵列侦测装置可为CCD或CMOS装置。一种散射场显微量测装置,其包含有:一光源模组,其系可提供一均匀光场;一光开关阵列装置,其系可藉由控制光之穿透位置以将该均匀光场调制成一检测光束;一物镜组,其系具有一Relay透镜、一分光镜及一显微物镜,该显微物镜具有一后焦平面,其可提供该检测光束通过而投射至一待测物上,并将由该待测物上散射之散射光聚焦于该后焦平面上以形成一光讯号;以及一阵列侦测装置,其系可撷取该光讯号。如申请专利范围第7项所述之散射场显微量测装置,其中,该光开关阵列装置可为LCOS装置。如申请专利范围第7项所述之散射场显微量测装置,其中,该阵列侦测装置可为CCD或CMOS装置。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号