发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 <p>Eine Halbleitervorrichtung enthält: einen Hauptkörperchip (1), ein Schaltungsmuster (4), das an einer Vorderfläche des Hauptkörperchips (1) gebildet ist und eine erste Anschlussfläche (5) enthält, einen Deckelchip (2), der eine erste Vertiefung (11) in einer Vorderfläche des Deckelchips (2) und eine zweite Vertiefung (12) in einer Rückfläche des Deckelchips (2) aufweist, wobei der Deckelchip (2) so mit dem Hauptkörperchip (1) verbunden ist, dass die erste Vertiefung (11) dem Schaltungsmuster (4) zugewandt ist, eine zweite Anschlussfläche (13), die an einer Grundfläche der ersten Vertiefung (11) des Deckelchips (2) gebildet ist, einem ersten Metallelement (14), das in die zweite Vertiefung (12) des Deckelchips (2) eingesetzt ist, eine erste Durchgangselektrode (15), die die zweite Anschlussfläche (13) durch den Deckelchip (2) hindurch mit dem ersten Metallelement (14) verbindet, und einen Höcker (16), der die erste Anschlussfläche (5) mit der zweiten Anschlussfläche (13) verbindet.</p>
申请公布号 DE102012207310(A1) 申请公布日期 2012.11.29
申请号 DE201210207310 申请日期 2012.05.02
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 KANAYA, KO;TSUKAHARA, YOSHIHIRO
分类号 H01L23/367;H01L23/52 主分类号 H01L23/367
代理机构 代理人
主权项
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