发明名称 用于确定掩模图案和写图案的技术
摘要 在一种用于生成将在光蚀刻过程中的光掩模上使用的第三掩模图案的方法期间,向第一掩模图案添加第一特征以产生第二掩模图案。多数第一特征可以具有大于预定值的尺寸特性,并且第一特征在拓扑上与第一掩模图案中的、与目标图案中的第三特征交叠的第二特征分离。而且,第一特征可以被添加到基于第一代价函数的梯度而确定的位置,该第一代价函数至少部分地取决于第一图案和目标图案。继而,可以基于第二掩模图案来生成第三掩模图案,其中光掩模对应于第三掩模图案。
申请公布号 CN101836161B 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN200880112810.9 申请日期 2008.09.12
申请人 朗明科技公司 发明人 T·C·塞西尔
分类号 G03F1/36(2012.01)I;G06K9/00(2006.01)I 主分类号 G03F1/36(2012.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华;陈宇萱
主权项 一种用于生成将在光蚀刻过程中的光掩模上使用的第三掩模图案的方法,包括:向第一掩模图案添加第一特征以产生第二掩模图案,其中多数所述第一特征具有大于预定值的尺寸特性,并且其中所述第一特征在拓扑上与所述第一掩模图案中的、与目标图案中的第三特征交叠的第二特征分离,并且其中所述第一特征被添加在基于第一代价函数的梯度而确定的位置,所述第一代价函数至少部分地取决于所述第一掩模图案和所述目标图案;以及基于所述第二掩模图案来生成所述第三掩模图案,其中所述光掩模对应于所述第三掩模图案。
地址 美国加利福尼亚州