| 发明名称 | 一种石墨烯电极的LED晶片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯电极的LED晶片及其制作方法，包括：N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层；在N型半导体层上通过刻蚀形成的沟槽；在P型半导体层形成的正电极以及在沟槽上形成的负电极；其中，所述正电极和负电极采用石墨烯材料制作。本发明具有出光效率高、散热好及寿命长等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102800779A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201110144844.X | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 发明人 | 樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 |
| 分类号 | H01L33/42(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/42(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种石墨烯电极的LED晶片，包括：N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层；在N型半导体层上通过刻蚀形成的沟槽；在P型半导体层形成的正电极以及在沟槽上形成的负电极；其特征在于：所述正电极和负电极采用石墨烯材料制作。 | ||
| 地址 | 529700 广东省江门市高新区科苑西路1号 | ||