发明名称 一种磁通变换器的驱动电路
摘要 本实用新型公开了一种磁通变换器的驱动电路,包括:连接于微处理器和磁通变换器之间的复位芯片、MOSFET管、第二电容以及调节电阻(R1);其中,所述复位芯片的电源脚,与微处理器的I/O口相连,所述复位芯片的地脚与直流电源的地相连,所述复位芯片的复位脚与MOSFET管的栅极相连;所述MOSFET管的源极与直流电源的地相连,MOSFET管的漏极与磁通变换器的负极相连;所述第二电容的正极与磁通变换器的正极相连,并与所述调节电阻串联于直流电源的正极上,所述第二电容的负极与直流电源的地相连。该驱动电路解决了磁通变换器长时间通电导致的脱扣器烧坏问题,同时该复位芯片能解决I/O口的快速瞬变引起的电流干扰问题。
申请公布号 CN202563303U 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201220243008.7 申请日期 2012.05.28
申请人 浙江中凯科技股份有限公司 发明人 黄世泽;朱谅;杨阳;杨佰传;屠瑜权
分类号 G05B19/042(2006.01)I 主分类号 G05B19/042(2006.01)I
代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人 张建纲
主权项 一种磁通变换器的驱动电路,其特征在于:其包括:连接于微处理器和磁通变换器(KM)之间的复位芯片(IC1)、MOSFET管(Q1)、第二电容(C2)以及调节电阻(R1);其中,所述复位芯片(IC1)的电源脚,与微处理器的I/O口相连,所述复位芯片(IC1)的地脚与直流电源的地相连,所述复位芯片(IC1)的复位脚与MOSFET管(Q1)的栅极相连;所述MOSFET管(Q1)的源极与直流电源的地相连,MOSFET管(Q1)的漏极与磁通变换器(KM)的负极相连;所述第二电容(C2)的正极与磁通变换器(KM)的正极相连,并与所述调节电阻串联(R1)于直流电源的正极上,所述第二电容(C2)的负极与直流电源的地相连。
地址 325604 浙江省温州市乐清市柳市东风工业区奋进路9号
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