发明名称 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
摘要 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,垂直腔面发射激光器包括n面电极、GaAs衬底、缓冲层、n型DBR层、氧化限制层、有源区、钝化层、p型DBR层、欧姆接触层。本发明的垂直腔面发射激光器及其制作方法,通过把氧化限制层通过一定工艺来把圆形的氧化层氧化成非圆形,以此来打破电流的各向同性注入,通过引入各向异性的电流注入到有源区来实现两个相互正交的偏振光的偏振控制。另外,本发明的垂直腔面发射激光器结构制造工艺简捷、重复性好,容易推广。
申请公布号 CN102801107A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201210279639.9 申请日期 2012.08.08
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 宁永强;张祥伟;秦莉;刘云;王立军
分类号 H01S5/183(2006.01)I 主分类号 H01S5/183(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 张伟
主权项 一种垂直腔面发射激光器,由上至下依次为:衬底、缓冲层、N型分布布拉格反射镜组、有源区、氧化限制层、P型分布布拉格反射镜组和欧姆接触层;其特征在于,所述氧化限制层内的载流子注入孔径的形状为非圆形。
地址 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
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