| 发明名称 | 用于擦除及程序化内存器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种双位内存器件，包括以隔离区(170)而与第二电荷储存区(164B)隔开的第一电荷储存区(164A)。可提供用于擦除内存之技术，其中，可将电子注入这些电荷储存区(164A、B)中以擦除这些电荷储存区(164A、B)。可提供其它用于程序化内存之技术，其中，可将空穴注入这些电荷储存区(164A、B)中之至少一区中以程序化这些电荷储存区(164A、B)。 | ||
| 申请公布号 | CN101432820B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN200780014867.0 | 申请日期 | 2007.04.05 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | M·丁;Z·刘;W·郑 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种擦除及程序化内存器的方法，包括：提供内存(150)，该内存(150)包括以隔离区(170)而与第二电荷储存区(164B)隔开的第一电荷储存区(164A)、绝缘层(162)、栅极(168)以及包括埋置结区域(161)的衬底(154)，该绝缘层(162)配置在该衬底(154)上，该第一电荷储存区(164A)、该隔离区(170)与该第二电荷储存区(164B)配置在该绝缘层(162)上；以及通过施加负电压至该栅极(168)及施加正电压至该埋置结区域(161)，将空穴注入这些电荷储存区(164A、164B)的至少其中之一中，以将在这些电荷储存区(164A、164B)的至少其中之一中的电子中和而编程该内存(150)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||