| 发明名称 | 一种溅射法制备高度取向的CuInS<sub>2</sub>外延薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法，将清洗过的CuInS2靶材和衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室，调整靶台与样品台之间的间距为30~60mm，开启样品台和靶台自转，并调节样品台的自转速度为8~12r/min，靶台的自转速度为4~6r/min，调节衬底的生长温度为100~700℃，激光器的脉冲能量为150~250mJ，激光脉冲频率为1~10Hz，开启激光器，进行溅射沉积10~60min，将CuInS2靶材表面原子溅射出来沉积在衬底表面形成CuInS2外延薄膜。该方法工艺简单，对设备要求低。 | ||
| 申请公布号 | CN102796988A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210306684.9 | 申请日期 | 2012.08.24 |
| 申请人 | 广州金升阳科技有限公司;湖北大学 | 发明人 | 何云斌;方金钢;尚勋忠;王志强;黎明锴;常钢;周桃生;尹向阳 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人 | 宣国华 |
| 主权项 | 一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法，特征是：将清洗过的CuInS2靶材和衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室，调整靶台与样品台之间的间距为30~60mm，开启样品台和靶台自转，并调节样品台的自转速度为8~12r/min，靶台的自转速度为4~6r/min，调节衬底的生长温度为100~700℃，激光器的脉冲能量为150~250mJ，激光脉冲频率为1~10Hz，开启激光器，进行溅射沉积10~60min，将CuInS2靶材表面原子溅射出来沉积在衬底表面形成CuInS2外延薄膜。 | ||
| 地址 | 510663 广东省广州市萝岗区科学城科学大道科汇发展中心科汇一街5号 | ||