积层陶瓷电容器

摘要

本发明所提供的积层陶瓷电容器，系能抑制在高温负荷试验中随时间变化所造成的绝缘电阻降低，且即使在制造步骤中未设置再氧化处理的步骤，仍可具有高绝缘性。;本发明的积层陶瓷电容器系将由介电质陶瓷构成的介电质层、与内部电极层交错积层形成，其中，构成上述介电质陶瓷的结晶系由第1结晶群与第2结晶群构成；该第1结晶群系由以钛酸钡为主成分且钙浓度在0.2原子%以下的结晶粒子构成；该第2结晶群系由钙浓度达0.4原子%以上的结晶粒子构成；上述构成第1结晶群之结晶粒子之表层部的镁与稀土族元素之各浓度(C1)、与构成第1结晶群之结晶粒子9a之部所含镁与稀土族元素之各浓度(C2)的比(C2/C1)，分别大于构成第2结晶群之结晶粒子9b的同浓度比(C4/C3)，且当将上述构成第1结晶群之结晶粒子的面积比例设为a，将上述构成第2结晶群之结晶粒子的比例设为b时，b/(a+b)比系0.5~0.8。

主权项

一种积层陶瓷电容器，系将介电质层与内部电极层交错积层形成，该介电质层系含有介电质陶瓷，该介电质陶瓷系以钛酸钡为主成分，且含有钙、镁、钒及锰、与选择自镝、钛、铒及钇中之任何稀土族元素；其特征为，构成上述介电质陶瓷的结晶系含有第1结晶群与第2结晶群；该第1结晶群系含有以上述钛酸钡为主成分、且上述钙浓度在0.2原子%以下的结晶粒子；该第2结晶群系含有以上述钛酸钡为主成分、且上述钙浓度达0.4原子%以上的结晶粒子；在构成上述第1结晶群之结晶粒子之表层部中所含上述镁与上述稀土族元素之各浓度(C1)，以及在构成上述第1结晶群之结晶粒子之中央部所含上述镁与上述稀土族元素之各浓度(C2)的比(C2/C1)，分别大于在构成上述第2结晶群之结晶粒子之表层部所含上述镁与上述稀土族元素之各浓度(C3)，与构成上述第2结晶群之结晶粒子之中央部所含上述镁与上述稀土族元素之各浓度(C4)的比(C4/C3)；且，对上述介电质陶瓷表面施行研磨时的研磨面，系当将构成上述第1结晶群之结晶粒子所占面积设为a，将构成上述第2结晶群之结晶粒子所占面积设为b时，b/(a+b)为0.5~0.8。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，上述介电质陶瓷系更进一步含有锆。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，上述锆的含有量，系相对于钡的氧化物(BaO)、上述钙的氧化物(CaO)及上述钛的氧化物(TiO2)的合计量100莫耳份，依ZrO2换算含有0.2~1莫耳份。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，当将构成上述第1结晶群与上述第2结晶群的结晶粒子平均粒径设为x，将上述结晶粒子的粒径标准偏差设为σ时，变动系数(x/σ)×100(%)为40%以下。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，构成上述第1结晶群之结晶粒子的平均结晶粒径，系大于构成上述第2结晶群之结晶粒子的平均结晶粒径。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，上述介电质陶瓷系相对于构成上述钛酸钡的钛100莫耳，上述镁依MgO换算计含有0.5~1莫耳、上述稀土族元素依RE2O3换算计含有0.5~1莫耳、上述锰依MnO换算计含有0.1~0.3莫耳、及上述钒依V2O5换算计含有0.1~0.4莫耳；且构成上述第1结晶群之结晶粒子的平均结晶粒径，系大于构成上述第2结晶群之结晶粒子的平均结晶粒径。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，上述介电质陶瓷系相对于构成上述钛酸钡的钛100莫耳，上述镁依MgO换算计含有0.5~1莫耳、上述稀土族元素(RE)依RE2O3换算计含有0.5~1莫耳、上述锰依MnO换算计含有0.1~0.3莫耳、及上述钒依V2O5换算计含有0.1~0.4莫耳，且上述介电质陶瓷进一步含有锆，该锆含有量系相对于上述钡的氧化物(BaO)、上述钙的氧化物(CaO)及上述钛的氧化物(TiO2)的合计量100莫耳份，依ZrO2换算计含有0.2~1莫耳份。如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器，其中，上述介电质陶瓷系相对于构成上述钛酸钡的钛100莫耳，上述镁依MgO换算计含有0.5~1莫耳、上述稀土族元素(RE)依RE2O3换算计含有0.5~1莫耳、上述锰依MnO换算计含有0.1~0.3莫耳、及上述钒依V2O5换算计含有0.1~0.4莫耳，且将构成上述第1结晶群与上述第2结晶群的结晶粒子平均粒径设为x，将上述结晶粒子的粒径标准偏差设为σ时，变动系数(x/σ)×100(%)为40%以下。