发明名称 一种操作化学气相沉积室的方法
摘要 兹揭示一种操作化学气相沉积室的方法。首先,提供数位式液流控制器,用来控制前驱物流体导入化学气相沉积室中。其次,对化学气相沉积室进行预清洁步骤。之后,对数位式液流控制器进行稳定化步骤,使得前驱物流体得以实质上稳定地导入化学气相沉积室中。接着,使用化学气相沉积室进行化学气相沉积步骤。
申请公布号 TWI377267 申请公布日期 2012.11.21
申请号 TW097117596 申请日期 2008.05.13
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 赖建兴;曾姿锦;张英毅
分类号 C23C16/52 主分类号 C23C16/52
代理机构 代理人 戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项 一种操作化学气相沉积室的方法,包含:提供一化学气相沉积室、与该化学气相沉积室连接的一前驱物导入座,以及一数位式液流控制器(digital liquid flow controller),该数位式液流控制器系与该前驱物导入座连接以控制经由该前驱物导入座导入该化学气相沉积室中的一前驱物流体;对该化学气相沉积室进行一预清洁步骤;对该数位式液流控制器进行一稳定化步骤,其中该稳定化步骤包含开启该数位式液流控制器并关闭该数位式液流控制器至少一次;在进行该预清洁步骤与该稳定化步骤后,将一基材置入该化学气相沈积室中;以及使用该化学气相沉积室对该基材进行一化学气相沉积步骤。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该前驱物流体包含一低介电常数前驱物流体。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该前驱物流体包含一TEOS前驱物流体。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该预清洁步骤为一原位(in-situ)预清洁步骤。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该预清洁步骤为一异位(ex-situ)预清洁步骤。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该预清洁步骤使用一电浆。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该预清洁步骤使用一反应性气体。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该预清洁步骤包含抽真空。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,在该稳定化步骤前更包含:对该化学气相沉积室进行一预沉积步骤。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该稳定化步骤包含:持续开启该数位式液流控制器1-10秒并关闭该数位式液流控制器,且施行由此持续开启与关闭所构成的循环至少一次。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该稳定化步骤包含:持续开启该数位式液流控制器5-6秒并关闭该数位式液流控制器,且施行由此持续开启与关闭所构成的循环至少一次。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该稳定化步骤包含施行由连续开启与关闭该数位式液流控制器所构成的循环七次。如请求项1操作化学气相沉积室的方法,其中该化学气相沉积步骤系一电浆强化化学气相沉积步骤。
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