氮化物系半导体发光元件

摘要

本发明的目的在于抑制半导体发光元件的正向电压，且达成高效率。本发明的氮化物系半导体发光元件具有基板、和在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述活性区域包含用于构成多重量子阱构造的阻挡层；以及最终阻挡层，该最终阻挡层的膜厚比所述阻挡层的膜厚厚，且设置在与所述p型半导体层最近的一侧，在构成所述多重量子阱构造的阻挡层中，与所述最终阻挡层邻接的2个阻挡层的平均膜厚比其他的阻挡层的平均膜厚薄。

主权项

一种氮化物系半导体发光元件，其具有基板、以及在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述氮化物系半导体发光元件的特征在于，所述活性区域包含：阻挡层，其用于构成多重量子阱构造；以及最终阻挡层，其具有比所述阻挡层的膜厚厚的膜厚，且设置在与所述p型半导体层最近的一侧，在构成所述多重量子阱构造的阻挡层中，与所述最终阻挡层邻接的2层的阻挡层的平均膜厚比其他的阻挡层的平均膜厚薄。