一种制备多孔In₂S₃薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备多孔In2S3薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；步骤2、将含硫前驱体和半胱胺酸溶于水中制得溶液；步骤3、将步骤1中烘干的透明导电基片置于步骤2制备的溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得多孔In2S3薄膜。本发明的一种制备多孔In2S3薄膜的方法，工艺简单，生产成本低，制得的多孔硫化铟薄膜孔的大小可调，采用的透明导电基片为导电玻璃，其成分为氧化铟锡，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。

主权项

一种制备多孔In2S3薄膜的方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；步骤2、将含硫前驱体和半胱胺酸溶于水中制得溶液；步骤3、将步骤1中烘干的透明导电基片置于步骤2制备的溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得多孔In2S3薄膜；所述的导电基片为导电玻璃，其成分为氧化铟锡；所述的步骤1中超声处理时间为10至15分钟；所述步骤2的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺或升华硫；所述步骤2的含硫前驱体和半胱胺酸的摩尔比范围为5：1至20：1；所述的步骤3中反应温度为90℃至250℃，反应时间为1h至24h。