| 发明名称 | 多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示领域，为解决现有技术中掩膜版数量过多，工艺复杂且成本过高的问题而设计。一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺形成露出有源层的过孔，源电极和漏电极通过所述过孔与有源层连接；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102789971A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201210270680.X | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 张方振 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺在以后步骤中形成源电极和漏电极的预设位置形成露出有源层的过孔；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||