半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体晶片接合体的制造方法，包括通过对隔片形成层有选择性地照射曝光用光而进行曝光、并使用显影液进行显影来使壁部（104’）残留下来的工序，并且，当设定壁部（104’）的宽度为W(μm)、设定壁部（104’）的高度为H(μm)时，分别满足下列关系式<1>～<3>，15≤W≤3000……<1>3≤H≤300……<2>0.10≤W/H≤900……<3>，基于此，在经过曝光处理、显影处理而形成半导体晶片与透明基板之间设置的隔片时，能够抑制或者防止显影处理中产生的固体状悬浮物作为残渣而残留下来的现象。

主权项

一种半导体晶片接合体的制造方法，所述半导体晶片接合体包括：半导体晶片；以与该半导体晶片的一个面相对置的方式配置的透明基板；以及隔片，该隔片具有以使所述半导体晶片与所述透明基板之间划分成多个空隙部的方式设置的壁部，其特征在于，所述制造方法包括：对所述半导体晶片和所述透明基板中的一者，形成由具有感光性的树脂组合物构成的隔片形成层的工序；通过对所述隔片形成层有选择性地照射曝光用光而进行曝光，并使用显影液进行显影，以使所述壁部残留下来的工序；以及将所述半导体晶片和所述透明基板中的另一者，与所述壁部接合的工序，并且，当设定所述壁部的宽度为W、设定所述壁部的高度为H时，分别满足下列关系式<1>～<3>，其中，宽度W和高度H的单位均为μm，15≤W≤3000    ……<1>3≤H≤300      ……<2>0.10≤W/H≤900 ……<3>。