| 发明名称 | 一种增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，包括：提供一个衬底；在该衬底上生长成核层；在该成核层上生长氮化镓高阻缓冲层；在该氮化镓高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；在该氮化镓沟道层上生长薄层氮化铝势垒层；在该氮化铝势垒层上生长SiNx表面施主层；在该SiNx表面施主层上形成源电极和漏电极；刻蚀掉该源电极与漏电极之间的SiNx表面施主层，形成栅槽区；以及在该栅槽区形成栅电极。由于栅极下超薄的AlN势垒层无法在沟道中形成二维电子气，从而使整个沟道处于断开，形成了增强型HEMT器件。本发明可应用于大功率电力开关、微波开关以及数字电路等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN102789982A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201110126340.5 | 申请日期 | 2011.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 彭铭曾;郑英奎;魏珂;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制作增强型AlN/GaN高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，包括：提供一个衬底；在该衬底上生长成核层；在该成核层上生长氮化镓高阻缓冲层；在该氮化镓高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；在该氮化镓沟道层上生长薄层氮化铝势垒层；在该氮化铝势垒层上生长SiNx表面施主层；在该SiNx表面施主层上形成源电极和漏电极；刻蚀掉该源电极与漏电极之间的SiNx表面施主层，形成栅槽区；以及在该栅槽区形成栅电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||