| 发明名称 | 在半导体上镀铜 | ||
| 摘要 | 使用单价镀铜浴对半导体晶片正面(front side)的导电轨或发射面(emitter side)进行金属化。通过电镀或LIP，铜选择性地沉积在导电轨上。导电轨可以通过使用常规的金属镀浴再次金属化。金属化的半导体可用于光伏器件的制造中。 | ||
| 申请公布号 | CN102787338A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201210189836.1 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | G·哈姆;J·A·里斯;魏凌云 |
| 分类号 | C25D7/12(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I | 主分类号 | C25D7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 江磊 |
| 主权项 | 一种方法，该方法包括：a)提供一种包括正面，背面和PN结的半导体，所述正面包括具有底层的导电轨图案，所述背面包括金属接触件；b)使半导体与单价镀铜组合物接触；以及c)在导电轨的底层上镀覆铜层。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||