| 发明名称 | 肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种肖特基二极管(2)，其具有第一主面(4)和第二主面(6)及边缘面(8)，其中各个主面(4，6)同时构成相应的第一和第二电接触表面，所述肖特基二极管具有层式构造，层式构造由具有第一高掺杂物浓度的半导体基体(10)、相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)、与半导体层构成肖特基接触(200)的第一金属层(20)、由连接介质(30)制成的层和在此上与第二金属层(22)连接的平面接触体(32)组成，并且所述肖特基二极管具有其边缘面(8)的钝化层(60)，该钝化层至少覆盖边缘面(8)的那个在所述肖特基接触(200)周围的区段。 | ||
| 申请公布号 | CN202549849U | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201220133084.2 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 赛米控电子股份有限公司 | 发明人 | 斯特凡·斯塔罗韦茨基;奥尔加·克雷姆帕斯卡;马丁·普雷德梅尔斯基 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨靖;车文 |
| 主权项 | 基二极管(2)，所述肖特基二极管具有第一主面(4)和第二主面(6)以及边缘面(8)，其中各个主面(4，6)同时构成相应的第一和第二电接触表面，所述肖特基二极管具有层式构造，所述层式构造由具有第一高掺杂物浓度的半导体基体(10)、相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)、与所述半导体层构成肖特基接触(200)的第一金属层(20)、由连接介质(30)制成的层和在此上与第二金属层(22)连接的平面接触体(32)组成，并且所述肖特基二极管具有所述肖特基二极管(2)的边缘面(8)的钝化层(60)，该钝化层至少覆盖所述边缘面(8)的那个在所述肖特基接触(200)周围的区段。 | ||
| 地址 | 德国，纽伦堡 | ||