| 发明名称 | 芯片熔断器 | ||
| 摘要 | 本发明提供在低温确实熔断的芯片熔断器。在绝缘基板(1)的表面上形成表面电极,在表面电极(3)上形成Ni-P-Fe镀敷层(15),在Ni-P-Fe镀敷层(15)上形成Sn镀敷层(17)。而且,采用由绝缘树脂材料构成的外涂层被覆Sn镀敷层(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN102792410A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201180012778.9 | 申请日期 | 2011.03.08 |
| 申请人 | 北陆电气工业株式会社 | 发明人 | 竹内胜己;黑川宽幸 |
| 分类号 | H01H85/11(2006.01)I;C22C19/03(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C25D7/00(2006.01)I;H01H85/046(2006.01)I | 主分类号 | H01H85/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永红 |
| 主权项 | 芯片熔断器,其具有:绝缘基板、在上述绝缘基板的基板表面的两端形成的一对表面电极、以跨越上述一对表面电极间的方式在上述基板表面上形成的Ni‑P‑Fe镀敷层、在上述Ni‑P‑Fe镀敷层上形成的Sn镀敷层、以及在上述Sn镀敷层上形成的由绝缘树脂材料构成的外涂层。 | ||
| 地址 | 日本富山县 | ||