| 发明名称 | 制造碳化硅半导体器件的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，该方法包括：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100）的步骤，该第一表面（100a）至少部分地注入有杂质；通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体（100）的第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b）的步骤；以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102782820A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201180004782.0 | 申请日期 | 2011.02.23 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 伊藤里美;盐见弘;并川靖生;和田圭司;岛津充;日吉透 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，包括以下步骤：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100），所述第一表面（100a）至少部分地注入有杂质，通过使用含有氢气的气体对所述碳化硅半导体（100）的所述第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b），以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||