发明名称 |
具有接合垫的金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法,上述互补式金属氧化物半导体影像感测器包括:半导体衬底,具有像素区域以及电路区域;钝化层,位于该半导体衬底上,该钝化层具有开口;以及接合垫,位于该电路区域中,其中该接合垫不延伸于该钝化层的上方。本发明可明显降低接合垫与钝化层之间的高度差,因此可消除半导体衬底上因旋转涂布导致的散射缺陷,并可降低平坦化层的厚度从而提高CMOS影像感测器的光学性能。 |
申请公布号 |
CN101231971B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN200710148569.2 |
申请日期 |
2007.08.29 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
刘铭棋;傅士奇;刘源鸿;陈威智;罗际兴 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器的形成方法,包括以下步骤:提供半导体衬底,该半导体衬底具有像素区域以及电路区域;在该半导体衬底的上方形成具有开口的钝化层;在该钝化层的上方顺应性地形成金属层,使得在该开口的位置的该金属层具有凹陷部;以及选择性地去除该金属层以形成接合垫,其中该接合垫与该钝化层之间存在一定的高度差,该接合垫不延伸于该钝化层的上表面,其中形成该接合垫的步骤包括:在该金属层的上方形成光致抗蚀剂图案,其中该光致抗蚀剂图案的尺寸小于该凹陷部;进行热回流步骤,以在该凹陷部之内形成热回流的光致抗蚀剂图案;利用该热回流的光致抗蚀剂图案为蚀刻掩模,部分地去除该金属层,以留下该接合垫。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |