沟槽电容结构的制作方法

摘要

本发明提供一种沟槽电容结构的制作方法。上述方法包括提供一基底，其表面定义有一存储阵列区域以及一逻辑区域，进行一浅沟隔离工艺，分别于存储阵列区域以及逻辑区域中的基底上形成至少一浅沟隔离，并于基底以及浅沟隔离的表面形成一图案化的屏蔽层，曝露出存储阵列区域内的部分浅沟隔离以及浅沟隔离周边的该基底，接着蚀刻存储阵列区域内未被屏蔽层覆盖的基底，以于基底内形成多个深沟槽。

主权项

一种制作沟槽电容的方法，该方法包括：提供一基底，且该基底的表面定义有一存储阵列区域以及一逻辑区域；进行一浅沟隔离工艺，分别于该存储阵列区域以及该逻辑区域中的该基底上蚀刻出至少一沟槽，然后在所述沟槽内填入绝缘材料以形成至少一浅沟隔离；于该基底以及该浅沟隔离的表面形成一图案化的屏蔽层，且该屏蔽层暴露出该存储阵列区域内的部分该浅沟隔离以及该浅沟隔离周边的该基底；蚀刻该存储阵列区域内未被该屏蔽层覆盖的该基底以及部分该浅沟隔离，以于该基底内形成多个深沟槽；以及形成一电容上电极于该深沟槽内，其中该电容上电极的一顶部与该浅沟隔离的一顶部切齐。