| 主权项 |
一种非挥发性半导体记忆体，其包含：一半导体基板，其系在其表面处包含一SOI区域及一磊晶区域；一形成于该半导体基板上之该SOI区域内的内埋式氧化物膜；一形成于该内埋式氧化物膜上之SOI层；形成于该SOI层上之复数个记忆胞；一形成于该磊晶区域中之磊晶层；一形成于该磊晶层上之选择闸极电晶体；一半导体基板区域，该SOI层、该内埋式氧化物膜及该磊晶层皆不形成于该半导体基板区域中；及一形成于该半导体基板区域中之周边电晶体；其中该SOI层系由一微晶层制成。如请求项1之非挥发性半导体记忆体，其中构成该微晶层之微晶之粒径小于该记忆胞之通道长度及通道宽度中之较小者的一半。如请求项1之非挥发性半导体记忆体，其中该微晶层为一n型微晶矽层。如请求项1之非挥发性半导体记忆体，其中该微晶层为一p型微晶矽层。如请求项1之非挥发性半导体记忆体，其中该磊晶层与该SOI层之间的一界面处于一由该选择闸极电晶体与该记忆胞所共用之源极/汲极扩散层中。如请求项1之非挥发性半导体记忆体，其中该等记忆胞为空乏模式MIS电晶体。如请求项1之非挥发性半导体记忆体，其中该选择闸极电晶体为一增强模式MIS电晶体。一种非挥发性半导体记忆体，其包含：一半导体基板，其系在其表面处包含一SOI区域及一磊晶区域；一形成于该半导体基板上之该SOI区域内的内埋式氧化物膜；一形成于该内埋式氧化物膜上之SOI层；形成于该SOI层上之复数个记忆胞；一形成于该磊晶区域中之磊晶层；及一形成于该磊晶层上之选择闸极电晶体；其中该SOI层系由一微晶层制成，且其中该磊晶层与该SOI层之间的一界面处于一由该选择闸极电晶体与该记忆胞所共用之源极/汲极扩散层中。如请求项8之非挥发性半导体记忆体，其中构成该微晶层之微晶之粒径小于该记忆胞之通道长度及通道宽度中之较小者的一半。如请求项8之非挥发性半导体记忆体，其中该微晶层为一n型微晶矽层。如请求项8之非挥发性半导体记忆体，其中该微晶层为一p型微晶矽层。如请求项8之非挥发性半导体记忆体，其中该等记忆胞为空乏模式MIS电晶体。如请求项8之非挥发性半导体记忆体，其中该选择闸极电晶体为一增强模式MIS电晶体。一种非挥发性半导体记忆体，其包含：一半导体基板，其系包含一SOI区域及一磊晶区域；一形成于该半导体基板上之该SOI区域内的内埋式氧化物膜；一形成于该内埋式氧化物膜上之微晶层；一形成于该微晶层上之一记忆胞之第一闸极电极；一形成于该半导体基板上之该磊晶区域中的磊晶层；及一形成于该磊晶层上之一选择闸极电晶体之第二闸极电极；其中该选择闸极电晶体系以邻接于该记忆胞电晶体之方式配置。如请求项14之非挥发性半导体记忆体，其中该微晶层之一第一上表面系与该磊晶层之一第二上表面齐平。如请求项14之非挥发性半导体记忆体，其中该选择闸极电晶体系经由一形成于该微晶层中之扩散层电性连接至该记忆胞电晶体。如请求项14之非挥发性半导体记忆体，其中该记忆胞电晶体之一第一通道区域为一n型层，且该记忆胞电晶体之一第二通道区域为一p型层。如请求项14之非挥发性半导体记忆体，其中构成该微晶层之微晶之粒径小于该记忆胞之通道长度及通道宽度中之较小者的一半。 |
