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Halbleiterbauelement mit einer in einem Halbleiterkörper (1) ausgebildeten Driftstrecke (2) aus einem Halbleitermaterial eines Leitungstyps, die eine zwischen wenigstens einer ersten und einer zweiten Elektrode (3, 4) und wenigstens entlang eines Teiles der Driftstrecke (2) angeordnete Grabenstruktur in Form mindestens eines Trenches (18) aufweist, wobei in der Grabenstruktur ein high-k-Material genanntes dielektrisches Material, das eine relative Dielektrizitätskonstanteεr mitεr≥20 aufweist, so angeordnet ist, dass im Bereich der Driftstrecke (2) mindestens ein high-k-Materialgebiet (5) und ein Halbleitermaterialgebiet (6) des einen Leitungstyps angeordnet sind, und wobei das Material des high-k-Materialgebiets (5) ein zusammengestztes Material aufweist, das leitfähige Bereiche (15, 16) in Form von unregelmäßig oder regelm enthält, wobei die leitfähigen Bereiche (15, 16) jeweils von einem Dielektrikum (17) aus high-k-Material umgeben sind. |
