非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，该方法包括下列步骤：首先，提供具有控制栅极、电荷储存层、源极区与漏极区的存储单元。然后，利用F-N穿隧效应对存储单元进行程序化操作，以取得时间对阈值电压的程序化曲线。在程序化操作中，于控制栅极施加正电压。接着，利用F-N穿隧效应对存储单元进行擦洗操作，以取得时间对阈值电压的擦洗曲线。在擦洗操作中，于控制栅极施加负电压。正电压与负电压的绝对值相同。之后，从程序化曲线与擦洗曲线的交叉点求出存储单元的固有阈值电压。

主权项

一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特征在于，所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法包括：提供一存储单元，所述存储单元包括一控制栅极、一电荷储存层、一源极区与一漏极区；利用F‑N穿隧效应对所述存储单元进行一程序化操作，以取得时间对阈值电压的一程序化曲线，在所述程序化操作中，于所述控制栅极施加一第一电压；利用F‑N穿隧效应对所述存储单元进行一擦洗操作，以取得时间对阈值电压的一擦洗曲线，在所述擦洗操作中，于所述控制栅极施加一第二电压，其中所述第二电压与所述第一电压的绝对值相同，但是极性相反；以及从所述程序化曲线与所述擦洗曲线的交叉点求出所述存储单元的固有阈值电压，所述交叉点对应的阈值电压即为所述存储单元的固有阈值电压。