| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器及其制造方法，所述CMOS图像传感器包括：提供晶圆的封装结构，所述晶圆的封装结构包括硅衬底、形成于硅衬底上的图像传感区和电极垫、以及连接所述电极垫的连接结构；用压模法在所述晶圆的封装结构对应图像传感区的表面覆盖聚光树脂。所述CMOS图像传感器及其制造方法解决了现有技术的CMOS图像传感器结构和制造工艺复杂、并且制造成本高的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101996898B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200910056518.6 | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘钊;朱虹;徐锦心;奚民伟 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴靖靓;李丽 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆的封装结构，所述晶圆的封装结构包括硅衬底、形成于硅衬底上的图像传感区和电极垫、以及连接所述电极垫的连接结构；用压模法在所述晶圆的封装结构对应图像传感区的表面覆盖聚光树脂。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||