一种沟槽超结MOS结构半导体装置及其制备方法

摘要

本发明涉及一种沟槽超结MOS结构半导体装置，还涉及一种沟槽超结MOS结构半导体装置的制备方法；本发明将超结结构设置在沟槽之间的半导体材料中，简化了超结结构的制造流程；本发明是制造的功率MOSFET器件和超级势垒整流器的基础结构。

主权项

一种沟槽超结MOS结构半导体装置，包括：第一导电类型半导体材料表面设置有多个沟槽；沟槽内壁生长有钝化层，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料设置有第二导电类型半导体材料体区；在体区内上部临靠沟槽设置有第一导电类型半导体材料源区；在体区内下部临靠沟槽设置有第一导电类型半导体材料超结漏区，超结漏区与源区之间为第二导电类型半导体材料体区，超结漏区与体区下部第一导电类型半导体材料形成的漏区相连；超结漏区和体区下部形成超结结构，其位于沟槽之间的半导体材料中。