| 发明名称 | 在半导体器件中制造孔图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在半导体器件中制造孔图案的方法，包括以下步骤：在刻蚀层之上形成第一有机层；在第一有机层之上形成第一无机层图案；利用第一无机层图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀第一有机层；在第一有机层之上形成第二有机层；在第二有机层之上形成第二无机层图案，其中第二无机层图案与第一无机层图案相交叉；利用第二无机层图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀第一有机层和第二有机层；以及利用被刻蚀的第一有机层和第二有机层作为刻蚀阻挡层来对刻蚀层进行刻蚀以形成孔图案。 | ||
| 申请公布号 | CN102760645A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201210043324.4 | 申请日期 | 2012.02.24 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑镇基;朴正熙 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种在半导体器件中制造孔图案的方法，包括以下步骤：在刻蚀层之上形成第一有机层；在所述第一有机层之上形成第一无机层图案；利用所述第一无机层图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述第一有机层；在包括所述第一无机层图案的所述第一有机层之上形成第二有机层；在所述第二有机层之上形成第二无机层图案，其中，所述第二无机层图案与所述第一无机层图案相交叉；利用所述第二无机层图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述第一有机层和所述第二有机层；以及利用被刻蚀的所述第一有机层和所述第二有机层作为刻蚀阻挡层来对所述刻蚀层进行刻蚀以形成孔图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||