Verfahren zur Bildung einer Nitrid-Halbleiterschicht auf strukturiertem Substrat und Licht emittierende Diode umfassend eine solche

摘要

Verfahren zur Bildung einer Nitrid-Halbleiterschicht auf einem strukturierten Substrat, umfassend: dweisend eine Struktur von Vorsprüngen und ausgesparten Bereichen; die Bildung einer Keimbildungsschicht auf dem strukturierten Substrat; die Bildung einer ersten 3D-Wachstumsschicht auf dem Substrat, aufweisend die Keimbildungsschicht unter 3D-Wachstumsbedingungen, indem das vertikale Wachstum einer Nitrid-Halbleiterschicht schneller erfolgt als das laterale Wachstum; die Bildung einer ersten 2D-Wachstumsschicht auf der ersten 3D-Wachstumsschicht unter 2D-Wachstumsbedingungen, indem das laterale Wachstum einer Nitrid-Halbleiterschicht schneller erfolgt als das vertikale Wachstum; die Bildung einer zweiten 3D-Wachstumsschicht auf der ersten 2D-Wachstumsschicht, indem das Wachstum einer Nitrid-Halbleiterschicht unter 3D-Wachstumsbedingungen erfolgt; und die Bildung einer zweiten 2D-Wachstumsschicht auf der zweiten 3D-Wachstumsschicht, indem das Wachstum einer Nitrid-Halbleiterschicht unter 2D-Wachstumsbedingungen erfolgt, wobei die 3D-Wachstumsbedingungen für das Wachstum der ersten 3D-Wachstumsschicht derart gewählt sind, dass diese eine Substrattemperatur (T1) im Bereich von 600–1200°C und einen Kammerdruck (P1) im Bereich von 10–760 mbar...