| 发明名称 |
Dünnschichttransistorarray-Substrat und Herstellungsverfahren für ein solches |
| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistorarray-Substrats, das Folgendes umfasst: – Herstellen einer Gateelektrode (106) auf einem Substrat (101); – Herstellen eines Gateisolierfilms (112) auf der Gateelektrode (106); – Herstellen einer Silicium (Si) enthaltenden Halbleiterschicht (114) auf dem Gateisolierfilm (112); – Herstellen einer Source- und einer Drainelektrode (108, 110) auf der Halbleiterschicht (114); – Ausbilden eines Kanalschutzfilms (120) durch Aussetzen der Halbleiterschicht (114) in einem Kanalabschnitt zwischen der Source- und der Drainelektrode (108, 110) einem Ox- oder Nx-Plasma, um die Halbleiterschicht (114) im Kanalabschnitt zu schützen; und – Herstellen einer Pixelelektrode (122) in einem Pixelgebiet, die die Drainelektrode (110) überlappt, wobei die gesamte Oberfläche der Drainelektrode (110) von der Pixelelektrode (122) bedeckt ist und mit dieser in direktem Kontakt steht. |
| 申请公布号 |
DE102005027445(B4) |
申请公布日期 |
2012.10.25 |
| 申请号 |
DE20051027445 |
申请日期 |
2005.06.14 |
| 申请人 |
LG DISPLAY CO., LTD. |
发明人 |
CHOI, YOUNG SEOK;AHN, BYUNG YONG;YU, HONG WOO;CHO, KI SUL |
| 分类号 |
G02F1/136;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/00;H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/01;H01L27/146;H01L29/417;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/136 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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