NMOS器件制作方法

摘要

一种NMOS器件制作方法，包括：提供含有NMOS的基底；在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；将沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，保留上述NMOS中具有最长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层，干法刻蚀以去除上述NMOS中其余所对应的氮化硅层，再次沉积氮化硅层；重复执行上述步骤，直至沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS无法按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。本发明所提供的NMOS器件制作方法根据NMOS器件沟道长度的长短，通过沉积-干法刻蚀去除-再次沉积的方法，使得所述氮化硅层的厚度与沟道长度成正比，实现对NMOS器件性能调整的一致性。

主权项

一种NMOS器件制作方法，其特征在于，包括：提供含有NMOS的基底；在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；将沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，保留上述NMOS中具有最长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层，干法刻蚀以去除上述NMOS中其余所对应的氮化硅层，再次沉积氮化硅层；重复执行上述步骤，直至沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS无法按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。