| 发明名称 | 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一下金属电极，其制作于衬底上；一载流子注入层，其形成于金属电极上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为新型载流子注入层的方法，提高空穴注入，减小电子注入层厚度，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102751407A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201210217051.0 | 申请日期 | 2012.06.27 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 马骏;汪炼成;张逸韵;伊晓燕;王国宏 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一载流子注入层，其形成于衬底上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。一下金属电极，其制作于载流子注入层上；一支撑衬底，其制作于金属电极上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||