槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制造方法，联栅晶体管的主要特征是：发射区与基区为同一个扩散窗口；覆盖发射极金属层的钝化层延伸到掺杂多晶硅层的上表面；覆盖栅极金属层的钝化层延伸到P型槽形栅区汇流条的槽的底面。其基区与发射区为自对准结构，其多晶硅层与接触孔也为自对准结构。本发明采用5次光刻工艺技术，节省了两次光刻，节约了20-30％的成本。

主权项

一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条N型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有P型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P型的槽形栅区和与P型槽形栅区正交的P型槽形栅区汇流条，每条P型槽形栅区的槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，发射极金属层与栅极金属层被钝化层覆盖，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：发射区与基区为同一个扩散窗口；覆盖发射极金属层的钝化层延伸到掺杂多晶硅层的上表面；覆盖栅极金属层的钝化层延伸到P型槽形栅区汇流条的槽的底面。