| 摘要 |
1. Ограничитель напряжения с отрицательным участком динамического сопротивления, содержащий многослойную кремниевую структуру, слои которой образуют последовательно расположенные р-n переходы, и контакты, отличающийся тем, что структура содержит не менее пяти слоев, в которых время жизни носителей имеет значение из интервала τ=0,01-1 мкс, концентрация легирующей примеси в слоях находится в интервале 1·1015-1·1020 см-3, а слои выполнены таким образом, что для по крайней мере одного слоя структуры соблюдено условие hi>√Diτi, где hi толщина указанного слоя, Di - коэффициент диффузии носителей заряда в этом слое, τi - время жизни носителей заряда в этом слое, и по крайней мере для одного слоя структуры соблюдено условие hj<√Djτj, где hj толщина этого слоя, Dj - коэффициент диффузии носителей заряда в этом слое, τj - время жизни носителей заряда в этом слое. ! 2. Ограничитель напряжения по п.1, отличающийся тем, что толщины слоев структуры выбраны из интервала 0,5-100 мкм. !3. Ограничитель напряжения по п.1, отличающийся тем, что многослойная кремниевая структура является эпитаксиальной. ! 4. Ограничитель напряжения по п.1, отличающийся тем, что многослойная кремниевая структура получена с использованием по крайней мере одной операции диффузии. ! 5. Ограничитель напряжения по п.1, отличающийся тем, что необходимое время жизни носителей в слоях структуры получено диффузия золота. ! 6. Ограничитель напряжения по п.1, отличающийся тем, что необходимое время жизни носителей в слоях структуры получено облучением протонами и/или электронами. ! 7. Ограничитель напряжения по п.1, отличающийся тем, что концентрация легирующей примеси в слоях n - типа проводимо |
