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Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Abschneiden von II-VI- oder III-V-Halbleiterschichten auf einem oder mehreren Substraten (4), mit einem Reaktorgehäuse, eine Prozesskammer (1), einen in der Prozesskammer (1) angeordneten Suszeptor (2) zur Aufnahme des Substrates (4), eine Heizeinrichtung (18) zum Aufheizen des Suszeptors (2), ein Gaseinlassorgan (7), um Prozessgase in Form eines Hydrids, einer metallorganischen Komponente und einer Halogenkomponente in die Prozesskammer (1) einzuleiten, mit einer Gasmisch-/Versorgungseinrichtung (34) aufweisend eine Quelle (31) für die metallorganische Komponente, eine Quelle (30) für das Hydrid, und eine Quelle (32) für die Halogenkomponente, wobei die Quellen (30, 31, 32) mit dem Gaseinlassorgan (7) verbunden sind, um die Prozessgase in voneinander getrennten Gasflüssen in die aufgeheizte Prozesskammer (1) zu bringen. Zur Vergrößerung der mit Substraten belegten Nutzfläche des Suszeptors, wird vorgeschlagen, dass das Gaseinlassorgan (7) zumindest drei voneinander getrennte Gaseinlasszonen (8, 9, 10) aufweist, wobei zwischen einer Hydridquelle (30) und einer Halogenkomponenteneinlasszone (10) eine Trenngaseinlasszone (9) angeordnet ist, wobei bei einer Halogenkomponenteneinspeisung durch die Halogenkomponenteneinlasszone (10) durch die Trenngaseinlasszone (9) ein Trenngas, das weder die V- oder VI-Komponente noch die Halogenkomponente enthält, in die Prozesskammer (1) strömt.
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