发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers |
摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, – Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und – Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers. |
申请公布号 |
DE102011017097(A1) |
申请公布日期 |
2012.10.18 |
申请号 |
DE20111017097 |
申请日期 |
2011.04.14 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
EBERHARD, FRANZ, DR.;PERZLMAIER, KORBINIAN, DR.;ZULL, HERIBERT, DR.;VEIT, THOMAS;KAEMPF, MATHIAS;DENNEMARCK, JENS, DR. |
分类号 |
H01L21/301;H01L21/31;H01L21/3205 |
主分类号 |
H01L21/301 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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