| 发明名称 | 等离子体处理方法、以及元件隔离方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种STI工艺中沿着硅的沟道的内壁面形成对氧的扩散具有阻挡性的数nm左右厚度的薄膜的方法。在等离子体处理装置(100)中，通过从平面天线(31)经由微波透过板(28)放射到处理容器(1)内的微波，在处理容器(1)内形成电磁场，从而分别使Ar气和N2气等离子体化。通过等离子体中的活性种的作用，使晶片(W)的沟道的内壁面极薄地氮化，由此形成致密的内衬SiN膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102738059A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210088844.7 | 申请日期 | 2012.03.29 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 米泽亮太;山崎和良;佐野正树 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 金世煜;苗堃 |
| 主权项 | 一种等离子体处理方法，其特征在于，在利用向形成于硅上的沟道内埋入绝缘膜并将所述绝缘膜平坦化而形成元件隔离膜的STI法的元件隔离中，在向所述沟道内埋入绝缘膜之前，具有利用等离子体将所述沟道的内壁面的硅氮化处理的等离子体氮化处理工序；所述等离子体氮化处理工序是利用含有含氮气体的处理气体的等离子体，在处理压力为1.3Pa～187Pa的范围内且含氮气体相对于全部处理气体的体积流量比为1％～80％的范围内的条件下进行的，并在所述沟道的内壁面形成厚度为1～10nm的范围内的氮化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||