发明名称 冶金硅的提纯方法
摘要 本发明提供一种用于光伏应用的含硅材料的提纯方法,所述方法包括:将冶金硅提供到坩埚设备中。至少对所述冶金硅进行热处理,以使得所述冶金硅的状态从第一状态改变到第二状态,所述第二状态是不超过1500摄氏度的熔化状态。从处于所述熔化状态的所述冶金硅中去除至少第一部分杂质。从下部区域到上部区域冷却熔化的冶金硅,以使得所述下部区域凝固,同时第二部分杂质偏析并积累在处于液体状态的区域中。使所述处于液体状态的区域凝固,以形成具有提纯区域和杂质区域的结果硅结构。所述提纯区域的特征在于纯度大于99.9999%。
申请公布号 CN102742034A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201080061589.6 申请日期 2010.11.16
申请人 星野政宏;高政治 发明人 星野政宏;高政治
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 许向彤;林锦辉
主权项 一种用于光伏应用的含硅材料的提纯方法,所述方法包括:将冶金硅提供到坩埚设备中;至少对所述冶金硅进行热处理,以使得所述冶金硅的状态从第一状态改变到第二状态,所述第二状态是不超过1500摄氏度的熔化状态;从处于所述熔化状态的所述冶金硅中去除至少第一部分杂质;从下部区域到上部区域冷却熔化的冶金硅,以使得所述下部区域凝固,同时第二部分杂质偏析并积累在处于液体状态的区域中;使所述处于液体状态的区域凝固,以形成具有提纯区域和杂质区域的最终硅结构;以及于是所述提纯区域的特征在于纯度大于99.9999%。
地址 美国加利福尼亚