发明名称 |
冶金硅的提纯方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于光伏应用的含硅材料的提纯方法,所述方法包括:将冶金硅提供到坩埚设备中。至少对所述冶金硅进行热处理,以使得所述冶金硅的状态从第一状态改变到第二状态,所述第二状态是不超过1500摄氏度的熔化状态。从处于所述熔化状态的所述冶金硅中去除至少第一部分杂质。从下部区域到上部区域冷却熔化的冶金硅,以使得所述下部区域凝固,同时第二部分杂质偏析并积累在处于液体状态的区域中。使所述处于液体状态的区域凝固,以形成具有提纯区域和杂质区域的结果硅结构。所述提纯区域的特征在于纯度大于99.9999%。 |
申请公布号 |
CN102742034A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201080061589.6 |
申请日期 |
2010.11.16 |
申请人 |
星野政宏;高政治 |
发明人 |
星野政宏;高政治 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
许向彤;林锦辉 |
主权项 |
一种用于光伏应用的含硅材料的提纯方法,所述方法包括:将冶金硅提供到坩埚设备中;至少对所述冶金硅进行热处理,以使得所述冶金硅的状态从第一状态改变到第二状态,所述第二状态是不超过1500摄氏度的熔化状态;从处于所述熔化状态的所述冶金硅中去除至少第一部分杂质;从下部区域到上部区域冷却熔化的冶金硅,以使得所述下部区域凝固,同时第二部分杂质偏析并积累在处于液体状态的区域中;使所述处于液体状态的区域凝固,以形成具有提纯区域和杂质区域的最终硅结构;以及于是所述提纯区域的特征在于纯度大于99.9999%。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |