用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法

摘要

半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

主权项

一种半导体元件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有顶面；开口，所述开口从所述顶面延伸至所述半导体衬底中，其中所述开口包括内表面；具有第一压缩应力的第一介电衬里，所述第一介电衬里设置在所述开口的所述内表面上；具有拉伸应力的第二介电衬里，所述第二介电衬里设置在所述第一介电衬里上；具有第二压缩应力的第三介电衬里，所述第三介电衬里设置在所述第二介电衬里上；金属阻挡层，所述金属阻挡层设置在所述第三介电衬里上；以及导电材料，所述导电材料设置在所述金属阻挡层上并填充所述开口。