用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM

摘要

本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容，所述等效寄生电容的存储电荷端控制所述可编程逻辑器件的开关管，利用该增益单元eDRAM无破坏性读出或者破坏性读出较小的特点，在刷新操作过程中，进行读操作时，存储节点的电位不发生变化或者电位变化比较小，从而不会影响开关管的逻辑状态的变化。使用该增益单元eDRAM的可编程逻辑器件的芯片面积可以大大缩小。

主权项

一种用于可编程逻辑器件的eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容；写MOS晶体管的栅极连接于写字线；写MOS晶体管的漏端连接于写位线，写MOS晶体管的源端连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，或者写MOS晶体管的源端连接于写位线，写MOS晶体管的漏端连接于所述等效寄生电容的存储电荷端；读MOS晶体管的栅极连接于所述等效寄生电容的存储电荷端；读MOS晶体管的漏端连接于读位线，读MOS晶体管的源端连接于读字线，或者读MOS晶体管的源端连接于读位线，读MOS晶体管的漏端连接于读字线；其特征在于，所述等效寄生电容的存储电荷端控制所述可编程逻辑器件的开关管；其中，所述等效寄生电容为写MOS晶体管的有源区寄生电容、读MOS晶体管的栅电容、开关管的栅电容之一，或者为写MOS晶体管的有源区寄生电容、读MOS晶体管的栅电容、开关管的栅电容的组合。