发明名称 |
引线框架及半导体装置 |
摘要 |
一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架,其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂。所述引线框架包括基底框架、四层电镀、及三层电镀。所述基底框架包括引线、由所述密封树脂所密封并且连接至所述接合线的连接区域、及未被所述密封树脂所密封的暴露区域。四层电镀施加至所述基底框架的连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分。三层电镀施加至所述基底框架的从所述密封树脂暴露的暴露区域。 |
申请公布号 |
CN102738109A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210098663.2 |
申请日期 |
2012.03.27 |
申请人 |
新光电气工业株式会社 |
发明人 |
吴宗昭;吉江崇;大串正幸 |
分类号 |
H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/495(2006.01)I |
代理机构 |
上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 |
代理人 |
段迎春 |
主权项 |
一种用于树脂密封型半导体装置的引线框架,其中所述半导体装置包括具有电极的半导体元件、连接至所述半导体元件之电极的接合线、及覆盖并且密封所述半导体元件和所述接合线的密封树脂,所述引线框架包括:包括多根引线的基底框架;四层电镀,其施加至所述基底框架上连接至所述接合线并且由所述密封树脂密封的一部分,其中所述四层电镀包括由Ni或Ni合金形成的第一镀层、由Pd或Pd合金形成的第二镀层、由Ag或Ag合金形成的第三镀层、及由Au或Au合金形成的第四镀层,它们依此次序层叠在所述基底框架的所述部分上;及三层电镀,其施加至所述基底框架上从所述密封树脂暴露的暴露区域,其中所述三层电镀包括所述第一镀层、所述第二镀层、及所述第四镀层,它们依此次序层叠在所述基底框架的所述暴露区域上。 |
地址 |
日本长野县长野市小岛田町80番地 |