发明名称 | 单层石墨的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种单层石墨的制备方法,包含:氧化步骤,是将石墨材料氧化形成石墨氧化物;剥离与预还原步骤,将石墨氧化物放置于真空、保护气氛、还原气氛下或保护气氛及还原气氛的混合中,并接触高于300℃热源,以使石墨氧化物以形成单层纳米结构的石墨氧化物;还原及热处理步骤,将单层纳米结构的石墨氧化物放置于具有热处理温度的还原气氛中,将单层纳米结构的石墨氧化物的含氧量降低至1wt%以下;以及机械研磨及还原步骤,进行机械研磨,并以碱性溶液作为研磨液,充份分散并还原,而得到单层石墨。 | ||
申请公布号 | CN102730667A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
申请号 | CN201110087771.5 | 申请日期 | 2011.04.08 |
申请人 | 安炬科技股份有限公司 | 发明人 | 吴以舜;谢承佑;陈静茹;林君孟;林庚蔚 |
分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人 | 刘俊 |
主权项 | 一种单层石墨的制备方法,其特征在于,包含:一氧化步骤,将一石墨材料氧化而形成一石墨氧化物;一剥离与预还原步骤,将该石墨氧化物放置于真空、一保护气氛、一还原气氛下或该保护气氛及该还原气氛的混合,并接触一高于300℃热源,以使该石墨氧化物以形成一单层纳米结构的石墨氧化物;一还原及热处理步骤,将该单层纳米结构的石墨氧化物放置于具有一热处理温度的该还原气氛中,将该单层纳米结构的石墨氧化物的含氧量降低至1wt%以下;以及一机械研磨及还原步骤,将该还原及热处理步骤所获得的含氧量低于1wt%的该单层纳米结构的石墨氧化物进行机械研磨,并以一碱性溶液作为一研磨液,以充份分散并还原,以得到该单层石墨。 | ||
地址 | 中国台湾宜兰县 |