低Ｋ值介电薄膜之后处理

摘要

兹提供一种沉积一低介电常数薄膜于一基材并后处理该低介电常数薄膜之方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至一所欲高温并接着将之快速冷却，以使该低介电常数薄膜暴露于该所欲高温约5秒或更少。于一实施态样中，该后处理也包括将该低介电常数薄膜暴露于一电子束处理及/或紫外光(UV)辐射中。

主权项

一种处理一基材之方法，其包含下列步骤：于RF电源下沉积一包含矽及碳之低介电常数薄膜于一基材上；以及以一制程对该沉积之低介电常数薄膜进行后处理，该制程包含：将该低介电常数薄膜以至少10℃/秒的速率加热至一至少600℃之所欲温度，其中该低介电常数薄膜维持在该所欲温度5秒或更少；且接着以至少10℃/秒的速率冷却该低介电常数薄膜。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该后处理系于足以降低该低介电常数薄膜之介电常数的条件下实施。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该低介电常数薄膜系以一介于10℃/秒至300℃/秒的速率加热，并以一介于10℃/秒至100℃/秒的速率冷却。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该后处理更包括以紫外光(UV)辐射处理该低介电常数薄膜。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该包含加热及冷却该低介电常数薄膜的制程系与以紫外光辐射处理该低介电常数薄膜同时进行。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该后处理更包括以一电子束处理该低介电常数薄膜。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该低介电常数薄膜系于一集成制程系统中进行后处理，以使该低介电常数薄膜在加热及以一电子束处理该低介电常数薄膜之间不会暴露于大气下。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该包括加热及冷却该低介电常数薄膜之制程以及以紫外光辐射处理该低介电常数薄膜系相继进行。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该后处理更包括以一电子束处理该低介电常数薄膜。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该低介电常数薄膜系于一集成制程系统中进行后处理，以使该低介电常数薄膜在加热及以一电子束处理该低介电常数薄膜之间不会暴露于大气下。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该低介电常数薄膜更包含氧。一种处理一基材之方法，其包含下列步骤：于RF电源下沉积一包含矽及碳之低介电常数薄膜于一基材上；以及以一制程对该沉积之低介电常数薄膜进行后处理，该制程包含：将该低介电常数薄膜由一介于25℃至250℃之温度加热至一介于600℃至1000℃之温度，其中该低介电常数薄膜系于该介于600℃至1000℃之温度加热5秒或更少；且接着将该低介电常数薄膜由一介于600℃至1000℃之温度冷却，其中该低介电常数薄膜系于0.5分钟至5分钟的一时间范围内作加热及冷却。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该低介电常数薄膜系以一介于10℃/秒至300℃/秒的速率加热，并以一介于10℃/秒至100℃/秒的速率冷却。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该后处理更包括以紫外光辐射处理该低介电常数薄膜。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该后处理更包括以一电子束处理该低介电常数薄膜。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该冷却该低介电常数薄膜的步骤包括将该基材暴露于背侧气体。一种处理一基材之方法，其包含下列步骤：于RF电源下沉积一包含矽及碳之低介电常数薄膜于一基材上；以及以一制程对该沉积之低介电常数薄膜进行后处理，该制程包含：将该低介电常数薄膜以一至少10℃/秒的速率加热至一所欲温度，其中该低介电常数薄膜系维持在该所欲温度5秒或更少；且接着将该低介电常数薄膜以一至少10℃/秒的速率冷却，其中该低介电常数薄膜系于0.5分钟至5分钟的一时间范围内作加热及冷却。如申请专利范围第17项所述之方法，其中该低介电常数薄膜系由一介于25℃至250℃的温度作加热，而该所欲温度介于800℃至900℃。如申请专利范围第17项所述之方法，其中该后处理更包括以紫外光辐射处理该低介电常数薄膜。如申请专利范围第17项所述之方法，其中该后处理更包括以一电子束处理该低介电常数薄膜。