| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括在半导体衬底上形成有源区，以及在有源区上形成自对准硅化物区域阻挡膜，该方法还包括：在上述结构上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成具有张应力的氮化硅层；所述缓冲层具有的张应力小于所述氮化硅层具有的张应力，用于传递所述具有张应力的氮化硅层的应力。采用该方法能够使具有高张应力的氮化硅层所具有的高应力经过缓冲层有效传递到沟道内，而且防止了由于高的应力导致的裂缝。 | ||
| 申请公布号 | CN101882582A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200910083427.1 | 申请日期 | 2009.05.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 李敏;李希 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括在半导体衬底上形成有源区及在有源区上形成自对准硅化物区域阻挡膜，其特征在于，该方法还包括：在上述结构上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成具有张应力的氮化硅层；所述缓冲层具有的张应力小于所述氮化硅层具有的张应力，用于传递所述具有张应力的氮化硅层的应力。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||