| 发明名称 |
HAFNIUM-CONTAINING OR ZIRCONIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION |
| 摘要 |
<p>Disclosed are hafnium-containing and zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The compounds may be used to deposit hafnium, zirconium, hafnium oxide, and zirconium oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.</p> |
| 申请公布号 |
WO2012138332(A1) |
申请公布日期 |
2012.10.11 |
| 申请号 |
WO2011US31360 |
申请日期 |
2011.04.06 |
| 申请人 |
L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE;PALLEM, VENKATESWARA R.;DUSSARRAT, CHRISTIAN |
发明人 |
PALLEM, VENKATESWARA R.;DUSSARRAT, CHRISTIAN |
| 分类号 |
C23C16/30;C23C16/06;H01L21/205 |
主分类号 |
C23C16/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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