发明名称 |
掺杂硼的精制硅的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种掺杂硼的精制硅的制造方法,其是用金属铝还原卤化硅而得到还原硅,并从该还原硅、以较少的能量制造掺杂硼的硅(精制硅)的方法。本发明的制造方法的特征在于,用金属铝还原卤化硅而得到还原硅,加热熔融得到的还原硅,掺杂硼,然后在铸模内,在一个方向上设置树脂温度梯度的状态下使其凝结,由此进行精制。优选在酸洗还原硅之后加热熔融,掺杂硼。在减压下加热熔融还原硅之后,掺杂硼。在加热熔融还原硅之后使其在一个方向上凝结,精制,然后加热熔融,掺杂硼。 |
申请公布号 |
CN101508436B |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN200910003897.2 |
申请日期 |
2009.02.12 |
申请人 |
住友化学株式会社 |
发明人 |
惠智裕;田渊宏 |
分类号 |
C01B33/021(2006.01)I;C01B33/033(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
朱丹 |
主权项 |
一种精制硅的制造方法,其中,具有:用金属铝还原卤化硅而制造还原硅的步骤,加热熔融所述还原硅的步骤,通过向所述熔融的还原硅掺杂硼而生成含有硅、铝及硼的混合熔融物的步骤,在铸模内,在一个方向上设置温度梯度的状态下,使所述混合熔融物凝结的步骤,和在得到的硅方向凝结物中切除粗硅区域的步骤。 |
地址 |
日本国东京都 |