发明名称 |
具有低辐射发射水平的电子设备接口 |
摘要 |
本实用新型涉及一种具有低辐射发射水平的电子设备接口,包括信号传输端口和金属外壳,信号传输端口从金属外壳上设置的端口通孔延伸至金属外壳外侧,且金属外壳在端口通孔处向端口通孔内侧弯折并延伸形成与信号传输端口相接触的外壳内延伸部分。采用该种结构的具有低辐射发射水平的电子设备接口,由于其具有外壳内延伸部分,且该外壳内延伸部分与信号传输端口相接触,从而增加了金属外壳与信号传输端口的接触面积,降低了两者之间的搭接阻抗;同时形成完整屏蔽体,防止干扰电磁场向外扩散,也免受外界电磁场的影响,有效减少辐射发射水平,提高产品抗干扰强度,且本实用新型的具有低辐射发射水平的电子设备接口结构简单,成本低廉,应用范围广泛。 |
申请公布号 |
CN202487869U |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201220109918.6 |
申请日期 |
2012.03.22 |
申请人 |
上海市共进通信技术有限公司 |
发明人 |
杜培军;蔡云枝;林宝剑;凌敬业;温朱桂 |
分类号 |
H01R13/516(2006.01)I;H01R13/518(2006.01)I;H01R13/6591(2011.01)I |
主分类号 |
H01R13/516(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁;郑暄 |
主权项 |
一种具有低辐射发射水平的电子设备接口,所述的电子设备接口包括信号传输端口和设置于所述的信号传输端口外的金属外壳,所述的金属外壳上设置有端口通孔,所述的信号传输端口从所述的端口通孔延伸至所述的金属外壳外侧,其特征在于,所述的金属外壳在所述的端口通孔处向所述的端口通孔内侧弯折并延伸形成位于端口通孔位置的外壳内延伸部分,所述的外壳内延伸部分与所述的信号传输端口相接触。 |
地址 |
200235 上海市徐汇区虹梅路1905号远中科研楼7楼 |